參數(shù)資料
型號： BAS581-02V-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： DIODE 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode
中文描述： Schottky (Diodes & Rectifiers) 40 Volt 30mA Single
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 54K
代理商： BAS581-02V-GS18
www.vishay.com
2
Document Number 85516
Rev. 1.2, 29-Jun-05
BAS581-02V
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Reverse Breakdown voltage
Package Dimensions in mm (Inches)
Test condition
Symbol
V
(BR)
I
r
V
F
C
tot
Min
40
Typ.
Max
Unit
V
μ
A
I
r
= 100
μ
A
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
Leakage current
0.5
Forward voltage
370
mV
Diode capacitance
2
pF
16864
ISO Method E
1.6 (0.062)
1.2 (0.047)
0
0
0
0.8 (0.031)
0.15 A
A
0.39 (0.015)
1.35 (0.053)
0.22 (0.008)
0.16 (0.006)
0.35 (0.014)
Mounting Pad Layout
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PDF描述
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