| 型號: | BAS56 |
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | High-speed double diode |
| 中文描述: | 高速雙二極管 |
| 封裝: | BAS56<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BAS56<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20 |
| 文件頁數(shù): | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商: | BAS56 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS581-02V-GS18 | DIODE 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode |
| BAS70-04-7-F | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAS70-05-7-F | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAS70-06-7-F | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAS70-7-F | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAS56 /T3 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAS56 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 120V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
| BAS56 TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:BAS56 Series SOT-143 60 V Surface Mount Dual Isolated Switching Diode |
| BAS56,215 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) SW 60V 200MA HS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAS56,235 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |