參數(shù)資料
型號(hào)： BAS55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed diode
中文描述： 0.2 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BAS55
1996 Sep 10
3
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diode
BAS55
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Note
1.
T
amb
= 25
°
C; device has reached the thermal equilibrium when mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
F
forward voltage
see Fig.3; I
F
= 200 mA; DC value;
note 1
see Fig.5
V
R
= 60 V
V
R
= 60 V; T
j
= 150
°
C
f = 1 MHz; V
R
= 0; see Fig.6
when switched from I
F
= 400 mA to
I
R
= 400 mA; R
L
= 100
;
measured at I
R
= 40 mA; see Fig.7
when switched to I
F
= 400 mA;
t
r
= 30 ns; see Fig.8
when switched to I
F
= 400 mA;
t
r
= 100 ns; see Fig.8
1.0
V
I
R
reverse current
100
100
nA
μ
A
pF
ns
C
d
t
rr
diode capacitance
reverse recovery time
2.5
6
V
fr
forward recovery voltage
2
V
1.5
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-tp
R
th j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
330
500
K/W
K/W
note 1
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