參數(shù)資料
型號: BAS516
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: High-speed diode
中文描述: 高速二極管
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 162K
代理商: BAS516
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
S29–3/2
BAS516
(1) I
R
= 1 mA.
Input signal: reverse pulse rise time t
r
= 0.6 ns; reverse voltage pulse duration t
p
= 100 ns; duty factor
δ
= 0.05;
Oscilloscope: rise time t
r
= 0.35 ns.
Fig.6 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
Input signal: forward pulse rise time
t
r
= 20 ns; forward current pulse duration
t
p
100 ns; duty factor
δ
0.005.
Fig.7 Forward recovery voltage test circuit and waveforms.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS520-02V-GS18 DIODE 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode
BAS521 Single high-voltage switching diode
BAS56 DUAL HIGH CURRENT SWITCHING DIODE
BAS56 High-speed double diode
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參數(shù)描述
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BAS516,135 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS516,315 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Diode Switching 85V 0.25A 2-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS516,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結(jié):150°C(最大) 標準包裝:4,000