參數(shù)資料
型號(hào)： BAS40-04
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 0.2 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 89K
代理商： BAS40-04
BAS40 / -04 / -05 / -06
200mW, Low V
F,
SMD Schottky Barrier Diode
Small Signal Diode
Surface device type mounting
Moisture sensitivity level 1
Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate
Pb free version and RoHS compliant
Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code
Mechanical Data
Min
2.80
1.20
0.30
1.80
2.25
0.90
0.550 REF
Max
3.00
1.40
0.50
2.00
2.55
1.20
Min
0.110
0.047
0.012
0.071
0.089
0.035
0.022 REF
Max
0.118
0.055
0.020
0.079
0.100
0.043
Case : Flat lead SOT 23 small outline plastic package
Maximum Ratings
Type Number
Power Dissipation
Electrical Characteristics
Type Number
I
R
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
V
R
=
V
R
=1V, f=1.0MHz
10
μ
A
1mA
10mA
40mA
30V
Reverse Leakage Current
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time I
F
=I
R
=10mA, R
L
=100
, I
RR
=1mA
Notes:1. Test Condition : 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)
Notes:2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
ns
Dimensions
A
B
C
D
E
F
Unit (inch)
0.38
0.50
0.2
5
-
-
-
-
Trr
5.0
Symbol
V
(BR)
pF
C
J
I
R
μ
A
-
-
1.00
Reverse Breakdown Voltage
mA
mA
A
Mean Forward Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)
I
O
200
200
0.6
357
40
Units
mW
V
V
40
40
Max
-
Min
200
-65 to + 125
Symbol
P
D
Repetitive Peak Forward Current
I
FRM
Reverse Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
V
R
Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
STG
I
FSM
R
θ
JA
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 2)
Features
Metal-on-silicon Shcottky Barrier
High temperature soldering guaranteed: 260
°
C/10s
Weight : 0.008gram (approximately)
Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
G
Unit (mm)
Forward Voltage
V
F
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
V
Units
V
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Value
°
C
°
C/W
BAS40
BAS40-06
BAS40-05
BAS40-04
B
A
C
D
G
F
E
Version : C09
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAT42W-GS18 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT54W 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT85-TR 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAV103 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAV170T-13 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAS40-04 /T3 功能描述:肖特基二極管與整流器 DIODE SCHTKY TAPE-11 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
BAS40-04 RFG 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對(duì)串聯(lián) 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 40mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:5ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:200nA @ 30V 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BAS40-04 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 40V 0.12A 3-Pin TO-236AB T/R
BAS40-04,215 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY 40V 120MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
BAS40-04,235 功能描述:肖特基二極管與整流器 DIODE SCHTKY TAPE-11 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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