參數(shù)資料
型號(hào)： BAS386
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Schottky Barrier Diode
中文描述： 肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： BAS386
BAS386
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85505
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
25
50
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
75
100
125
150
15827
V
R
= 50 V
P
R
540K/W
P
R
–Limit
@100%V
R
P
R
–Limit
@80%V
R
R
thJA
=
Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs.
Junction Temperature
1
10
100
1000
10000
25
50
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
75
100
125
150
15828
V
R
= V
RRM
I
R
Figure 2. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.5
1.0
1.5
I
V
F
– Forward Voltage ( V )
15829
F
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
0.1
1
10
100
1000
Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1.0
10.0
100.0
V
R
– Reverse Voltage ( V )
15830
C
D
f=1MHz
Figure 4. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
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PDF描述
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