參數(shù)資料
型號(hào)： BAS383-TR3
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCHOTTKY DIODE MICROMELF-E2 - Tape and Reel
中文描述： Schottky (Diodes & Rectifiers) 60 Volt 30mA 500mA IFSM
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： BAS383-TR3
BAS381, BAS382, BAS383
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 2.1, 15-May-12
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2
Document Number: 85503
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Max. Reverse Power Dissipation vs.
Junction Temperature
Fig. 2 -
Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 3 -
Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 4 -
Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 0.1mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= V
Rmax.
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
SYMBOL
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
330
410
1000
200
1.6
UNIT
mV
mV
mV
nA
pF
Forward voltage
Reserve current
Diode capacitance
0
2
4
6
8
10
12
14
25
50
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
75
100
125
150
15794
V
R
= 60
V
P
R
v
e
w
e
R
thJA
= 540 K/W
P
R
V
R
P
R
- Limit at 100 %
V
R
P
R
- Limit at 80 %
V
R
0.1
100
1000
25
50
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
75
100
125
150
1
10
15795
V
R
=
V
RRM
I
R
-
v
e
u
r
0
0.5
1
1.5
2.0
I
w
a
u
r
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
15796
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
0.1
1
10
100
1000
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.1
1
10
100
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
15797
C
D
f = 1 MHz
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PDF描述
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