參數(shù)資料
型號(hào)： BAS33
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Planar Diodes
中文描述： 硅平面二極管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： BAS33
BAS33.BAS34
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
2 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85541
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Test Conditions
I
F
=100mA
E
300lx, V
R
E
300lx, V
R
, T
j
=125 C
E
300lx, V
R
=15V
E
300lx, V
R
=30V
I
=5 A, t
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
R
Type
Symbol
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
C
D
Min
Typ
Max
1
3
0.5
1
1
Unit
V
nA
A
nA
nA
V
V
pF
1
BAS33
BAS34
BAS33
BAS34
0.5
0.5
Breakdown voltage
40
70
Diode capacitance
V
R
=0, f=1MHz
3
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
1
10
100
1000
10000
I
R
200
94 9079
Scattering Limit
V
R
=V
RRM
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9078
Scattering Limit
T
j
=25
°
C
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Dimensions in mm
Cathode Identification
1.7 max.
0.55 max.
3.9 max.
26 min.
technical drawings
according to DIN
specifications
94 9366
Standard Glass Case
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
Weight max. 0.3g
26 min.
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PDF描述
BAS34 Silicon Planar Diodes
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