參數(shù)資料
型號： BAS28
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed double diode
中文描述： 高速雙二極管
封裝： BAS28<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BAS28<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20
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文件大小： 256K
代理商： BAS28
BAS28
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Product data sheet
Rev. 3 — 22 July 2010
4 of 12
NXP Semiconductors
BAS28
High-speed double diode
7. Characteristics
Table 7.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Per diode
V
F
forward voltage
[1]
When switched from I
F
= 10 mA to I
R
= 10 mA; R
L
= 100
Ω
; measured at I
R
= 1 mA.
When switched from I
F
= 10 mA; t
r
= 20 ns.
[2]
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 75 V; T
j
= 150
°
C
f = 1 MHz; V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1
1.25
30
1
30
50
1.5
4
1.75
mV
mV
V
V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
pF
ns
V
I
R
reverse current
C
d
t
rr
V
FR
diode capacitance
reverse recovery time
forward recovery voltage
[1]
-
[2]
-
(1) T
j
= 150
°
C; typical values
(2) T
j
= 25
°
C; typical values
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values
Fig 1.
Forward current as a function of forward
voltage
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C; prior to surge
Fig 2.
Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
0
2
300
I
F
(mA)
0
100
200
mbg382
1
V
F
(V)
(1)
(2)
(3)
mbg704
10
1
10
2
I
FSM
(A)
10
1
t
p
(
μ
s)
1
10
4
10
3
10
10
2
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參數(shù)描述
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BAS28,235 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS28 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL SOT-143
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