參數(shù)資料
型號(hào): BAS281
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Schottky Barrier Diodes
中文描述: 肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 162K
代理商: BAS281
www.vishay.com
2
Document Number 85500
Rev. 1.6, 03-Mar-04
VISHAY
BAS281 / 282 / 283
Vishay Semiconductors
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Forward voltage
Typical Characteristics
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Test condition
Symbol
R
thJA
Value
320
Unit
K/W
on PC board
50 mm x 50 mm x 1.6 mm
Junction temperature
T
j
125
°C
Storage temperature range
T
stg
- 65 to + 150
°C
Test condition
Symbol
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
Min
Typ.
Max
330
Unit
mV
I
F
= 0.1 mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= V
Rmax
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
410
mV
1
V
Reverse current
200
nA
Diode capacitance
1.6
pF
Fig. 1 Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature
0
2
4
6
8
10
12
14
25
50
75
100
125
150
T
j
- Junction Temperature (
°
C )
15794
V
R
= 60 V
P
R
R
= 540 K/W
thJA
P
R
V
R
- Limit @ 100 %
P
R
V
R
- Limit @ 80 %
Fig. 2 Reverse Current vs. Junction Temperature
0.1
100
1000
25
50
75
100
125
150
1
10
15795
V
R
= V
RRM
I
-
A
R
T
j
- Junction Temperature (
°
C )
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