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參數(shù)資料
| 型號： | BAS19-V-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | BAS19-V-G, BAS20-V-G, BAS21-V-G Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 120 Volt Fast Switch |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | BAS19-V-GS08 |
BAS19-G, BAS20-G, BAS21-G
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.1, 15-May-13
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2
Document Number: 83390
Note
(1)
Device on fiberglass substrate, see layout drawing below
Layout for R
thJA
test
Thickness:
Fiberglass 1.5 mm (0.059 in.)
Copper leads 0.3 mm (0.012 in.)
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
(1)
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
430
150
- 65 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
V
R
= V
Rmax.
, T
J
= 150 °C
Dynamic forward resistance
I
F
= 10 mA
Diode capacitance
V
R
= 0, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 30 mA, R
L
= 100
,
i
R
= 3 mA
PART
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
r
f
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
1.0
1.25
100
100
100
100
UNIT
V
V
nA
nA
nA
μA
pF
Forward voltage
Leakage current
BAS19-G
BAS20-G
BAS21-G
5
5
Reverse recovery time
t
rr
50
ns
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
1 (0.4)
2 (0.8)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS19-V-GS18 | BAS19-V-G, BAS20-V-G, BAS21-V-G Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
| BAS20-V-GS18 | Diode Small Signal Switching 200V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BAS21-V-GS18 | SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3 - Tape and Reel |
| BAS20-V-GS08 | Diode Small Signal Switching 200V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BAS21AVD | High-voltage switching diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAS19-V-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 120 Volt 625mA 50ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAS19W | 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:Plastic-Encapsulated Diode |
| BAS19W _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BAS19W RVG | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BAS19W_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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