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參數(shù)資料
| 型號： | BAS116T |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| 中文描述： | 表面貼裝二極管低漏電 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BAS116T |
DS30258 Rev. 5 - 2
2 of 3
BAS116T, BAW156T, BAV170T, BAV199T
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
0
50
100
0
25
50
75
100
125
150
P
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Power Derating Curve
150
200
250
10
1.0
100
1000
0.1
0.01
0
1
2
I
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.1
1
10
0
50
150
100
200
I
R
T , AMBIENT TEMPERATURE (
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
)
°
C
V = 75V
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
V
(BR)R
Min
85
Typ
Max
Unit
V
Test Condition
I
R
= 100 A
I
F
= 1.0mA
I
F
= 10mA
I
F
= 50mA
I
F
= 150mA
V
R
= 75V
V
R
= 75V, T
j
= 150 C
V
R
= 0, f = 1.0MHz
I
F
= I
R
= 10mA,
I
rr
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Forward Voltage (Note 2)
V
F
0.90
1.0
1.1
1.25
5.0
80
V
Leakage Current (Note 2)
I
R
nA
nA
pF
Total Capacitance
C
T
2
Reverse Recovery Time
t
rr
3.0
s
Notes:
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.00
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
, AVERAGE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Forward Voltage vs Ambient Temperature
0.20
V
F(AVE)
T
A
I = 1mA
I = 10mA
I = 50mA
I = 150mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV199T | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAW156T | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAV18 | Silicon-Planar-Diodes |
| BAV21 | FAST SWITCHING DIODE |
| BAV18 | Silicon Epitaxial Planar Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAS116T,115 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Diode Std Recovery Rectifier 85V 0.215A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAS116T_09 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116T_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116T-7 | 功能描述:整流器 85V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BAS116T-7-F | 功能描述:整流器 85V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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