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參數(shù)資料
| 型號： | BAQ334-TR3 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SWITCHING DIODE GENPURP MICROMELF-E2 - Tape and Reel |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BAQ334-TR3 |
BAQ333, BAQ334, BAQ335
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 2.1, 01-Aug-12
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2
Document Number: 85538
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 - Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 2 - Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 3 -
Board for R
thJA
Definition (in mm)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward voltage
I
F
= 100 mA
E
300 lx, rated V
R
E
300 lx, rated V
R
, T
j
= 125 °C
E
300 lx, V
R
= 15 V
E
300 lx, V
R
= 30 V
E
300 lx, V
R
= 60 V
V
F
1
V
Reverse current
I
R
1
3
nA
I
R
0.5
μA
BAQ333
I
R
0.5
1
nA
BAQ334
I
R
0.5
1
nA
BAQ335
I
R
0.5
1
nA
Breakdown voltage
I
R
= 5 μA, t
p
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
BAQ333
V
(BR)
40
V
BAQ334
V
(BR)
70
V
BAQ335
V
(BR)
140
V
Diode capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
D
3
pF
0
4
0
8
0
120
160
1
10
100
1000
10 000
I
R
T
j
- Junction Temperature (°C)
200
94 9079
Scattering Limit
V
R
= V
RRM
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
-
F
V
F
- Forward Voltage (V)
2.0
94 9078
Scattering Limit
T
j
= 2 °C
2
2.5
1
0.71
1.3
1.27
9
24
0.152
0.355
95 10329
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAQ333-TR | Diode Small Signal Switching 30V 0.2A 2-Pin MicroMELF T/R |
| BAQ333-TR3 | SWITCHING DIODE GENPURP MICROMELF-E2 - Tape and Reel |
| BAR63V-03W-GS08 | DIODE SILICON, PIN DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, PIN Diode |
| BAR63V-04W | RF PIN Diodes - Dual, Series in SOT-323 |
| BAR63V-04W-GS08 | RF PIN Diodes - Dual, Series in SOT-323 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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