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參數資料
| 型號： | BAQ135-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SWITCHING DIODE GENPURP QUADROMELF-E2 - Tape and Reel |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | BAQ135-GS18 |
BAQ133, BAQ134, BAQ135
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.8, 31-Jul-12
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2
Document Number: 85536
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 2 -
Forward Current vs. Forward Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
Forward voltage
I
F
= 100 mA
E
300 Ix, rated V
R
E
300 Ix, rated V
R
, T
j
= 125 °C
E
300 Ix, V
R
= 15V
E
300 Ix, V
R
= 30 V
E
300 Ix, V
R
= 60 V
PART
SYMBOL
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
1
3
0.5
1
1
1
UNIT
V
nA
μA
nA
nA
nA
V
V
V
pF
Reverse current
1
BAQ133
BAQ134
BAQ135
BAQ133
BAQ134
BAQ135
0.5
0.5
0.5
Breakdown voltage
I
R
= 5 μA, t
p
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
40
70
140
Diode capacitance
V
R
= 0, f = 1 MHz
3
0
4
0
8
0
120
160
1
10
100
1000
10 000
I
v
e
u
r
R
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
200
94 9079
Scattering Limit
V
R
=
V
RRM
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
-
F
w
a
u
r
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
2.0
94 9078
Scattering Limit
T
j
= 2 °C
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PDF描述 |
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