參數(shù)資料
型號(hào)： BAL99
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Diodes
中文描述： 小信號(hào)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： BAL99
Zowie Technology Corporation
Switching Diode
BAL99
1
2
3
SOT-23
ANODE
CATHODE
3
2
Rating
Symbol
V
R
I
F
Value
Unit
Vdc
mAdc
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Unit
Continuous Reverse Voltage
Peak Forward Current
70
100
Characteristic
Symbol
Max.
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance, Junction to Ambient
o
C
C
P
D
225
1.8
556
mW
mW /
o
C
Total Device Dissipation Alumina Substrate,
(2)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
o
C
C
P
D
V
F
300
2.4
417
( I
F
=1.0 mAdc )
( I
F
=10 mAdc )
( I
F
=50 mAdc )
( I
F
=150 mAdc )
-
-
-
-
715
855
1000
1250
mW
mW /
o
C
o
C / W
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
DEVICE MARKING
BAL99=JF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
V
(BR)
70
-
Vdc
mVdc
OFF CHARACTERISTICS
R
JA
o
C / W
o
C
R
JA
T
J,
T
STG
Forward Voltage
I
R
( V
R
=70 Vdc )
( V
R
=25 Vdc, T
J
=150
o
C )
( V
R
=70 Vdc, T
J
=150
o
C )
-
-
-
2.5
30
50
uAdc
Reverse Voltage Leakage Current
Reverse Breakdown Voltage
( I
BR
=100uAdc )
Q
S
-
45
pC
Recovery Current
(I
F
=10 mAdc, V
R
=5.0 Vdc, R
L
=500 )
C
J
-
1.5
pF
Diode Capacitance
( V
R
=0, f=1.0MH
Z
)
trr
-
6.0
nS
Reverse Recovery Time
( I
F
=I
R
=10 mAdc, R
L=
100 , measured at I
R
=1.0mAcc )
V
FR
-
1.75
Vdc
Forward Recovery Voltage
( I
F
=10 mAdc, tr=20nS )
-55 to +150
(1) FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062in.
(2) Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024in. 99.5% alumina.
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
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