參數(shù)資料
型號(hào)： B80C800DM
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： INDUCTOR SMD 1UH DN10102CT
中文描述： 微型玻璃鈍化單相橋式整流器
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： B80C800DM
0.01
0.1
1.0
10
0.2
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
, per element
0.6
1.0
1.4
I
F
T = 25°C
Pulse width = 300μs
0
10
20
30
40
50
1
10
100
I
,
F
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Max Non-Repetitive Surge Current
Pulse Width 8.3 ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC Method)
1
10
100
1
10
100
C
j
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Junction Capacitance
T = 25°C
f = 1mz
0
0.5
1.0
1.5
0
25
50
100
125
150
75
I
F
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
Single phase half-sine-wave
60Hz resistive or inductive load
B40C800 – B500C800
2 of 3 2002 Won-Top Electronics
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PDF描述
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B80FD Fast Switching Si-Bridge Rectifiers
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參數(shù)描述
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B80C800G 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:0.9 A, 125 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
B80C800G-E4/51 功能描述:橋式整流器 0.9 Amp 125 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
B80C800GL-7001/1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:.8A, 125V, GLASS, RD BRIDGE; BULK-PACK,TRAY,BOX - Trays
B80C800GL-801E4/51 功能描述:橋式整流器 0.9 Amp 125 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
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