參數(shù)資料
型號: B1100
廠商: LITE-ON ELECTRONICS INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
中文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁數(shù): 165/212頁
文件大?。?/td> 1877K
代理商: B1100
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁當(dāng)前第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁
Construction and Operation
2002 Teccor Electronics
SIDACtor
Data Book and Design Guide
5 - 3
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
T
Construction and Operation
SIDACtor
devices are thyristor devices used to protect sensitive circuits from electrical
disturbances caused by lightning-induced surges, inductive-coupled spikes, and AC power
cross conditions. The unique structure and characteristics of the thyristor are used to create
an overvoltage protection device with precise and repeatable turn-on characteristics with
low voltage overshoot and high surge current capabilities.
Key Parameters
Key parameters for
SIDACtor
devices are V
DRM
, I
DRM
, V
S
, I
H
, and V
T
, as shown in Figure 5.1.
V
DRM
is the repetitive peak off-state voltage rating of the device (also known as stand-off
voltage) and is the continuous peak combination of AC and DC voltage that may be applied
to the
SIDACtor
device in its off-state condition. I
DRM
is the maximum value of leakage
current that results from the application of V
DRM
. Switching voltage (V
S
) is the maximum
voltage that subsequent components may be subjected to during a fast-rising (100 V/μs)
overvoltage condition. Holding current (I
H
) is the minimum current required to maintain the
device in the on state. On-state voltage (V
T
) is the maximum voltage across the device
during full conduction.
Figure 5.1
V-I Characteristics
Operation
The
SIDACtor
device operates much like a switch. In the off state, the device exhibits
leakage currents (I
DRM
) less than 5 μA, making it invisible to the circuit it is protecting. As a
transient voltage exceeds the
SIDACtor
device’s V
DRM
, the device begins to enter its
protective mode with characteristics similar to an avalanche diode. When supplied with
enough current (I
S
), the
SIDACtor
device switches to an on state, shunting the surge from
the circuit it is protecting. While in the on state, the
SIDACtor
device is able to sink large
I
H
I
T
I
S
I
DRM
V
DRM
V
T
+V
-V
+I
-I
V
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
B123ES PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
B125C1500A Replacement with:RS104/RS204G/B125C1000A/B125C1500-1000A/B125C2300-1500A/FSB204
B250C1500A Replacement with:RS106/RS206G/B250C1000A/B250C1500-1000A/B250C2300-1500A/FSB206
B250C1500B Replacement with:SKB B250C1000 L5B/RS106G/RS206G/B250C1000B/B250C2300-1500B
B250C1500R Bridge Rectifiers (Round)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
B1-10001 制造商:OTTO Engineering Inc 功能描述:S/A B1-13113 EXCEPT
B1-10002 制造商:OTTO Engineering Inc 功能描述:S/A B1-12113 EXCEPT
B1100-13 功能描述:肖特基二極管與整流器 100V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
B1100-13-F 功能描述:肖特基二極管與整流器 100V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
B1100-13-F-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:B1100 Series 100 V 1 A High Voltage Surface Mount Schottky Barrier Rectifier-SMA