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參數(shù)資料
| 型號： | B01N60(1A600V) |
| 英文描述： | 埸效應(yīng)管 |
| 中文描述： | 埸效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | B01N60(1A600V) |
B01N60
N-Channel Power MOS FET
電特性
( TC = 25
℃
)
參數(shù)名稱
符號
漏極
至
源極截止電壓
BV
DSS
V
GS
=0V, I
D
=250
μ
A
柵極
至
開啟電壓
V
GS(TH)
V
GS
=V
DS
, I
D
=250
μ
A
V
DS
= 100V,V
GS
=0V
漏極
至源極電流
V
DS
=600V, V
GS
=0V, T
J
=125
℃
接洽
:
藍(lán)電
代理
:
豐雅企業(yè)有限公司
e-mail: info@funart.com.hk
香港中環(huán)永吉街
11
號永享保險大廈
11
樓
C
窒
Tel: 852 - 25950393 Fax: 852 - 25588160
中國深圳市中航路新亞洲電子商城
4A008 Tel: 86-755-61306688 Fax: 86-755-61306667
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測試條件
最小值
600
2.0
最大值
0
4.0
0.1
單位
V
V
m
A
I
DSS
0.3
m
A
柵極
至源極漏電流
漏源動態(tài)電阻
I
GSS
R
DS(ON)
V
GS
= +/- 20V
V
GS
=10V, ID=0.5A
+/-100
8.0
nA
Ω
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