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BTS244ZNKSA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • BTS244ZNKSA1
    BTS244ZNKSA1

    BTS244ZNKSA1

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：陳先生13360533550

    電話：0755-838679890755-82795565

    地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8143

  • INFINEON/英飛凌

  • PG-TO220-5-3

  • 22+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • BTS244ZNKSA1
    BTS244ZNKSA1

    BTS244ZNKSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BTS244ZNKSA1
    BTS244ZNKSA1

    BTS244ZNKSA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 6000

  • 英飛凌

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

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  • 1
BTS244ZNKSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET TEMPFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BTS244ZNKSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BTS244ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS244ZE3043AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS244Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS244Z E3043 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS240A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.250" (31.75mm) 1 1/4" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無(wú)絲:有螺紋 公母:公頭，母頭 螺釘，螺紋規(guī)格:#8-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形 板間高度:1.250"（31.75mm）1 1/4" 長(zhǎng)度 - 總:1.625"（41.28mm）1 5/8" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BTS282ZE3230AKSA2 BTS3018TCATMA1 BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDRATMA1 BTS3035EJXUMA1 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1
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