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BTS282Z E3180A

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  • BTS282Z E3180A
    BTS282Z E3180A

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 原廠封裝

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  • BTS282Z E3180A
    BTS282Z E3180A

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • TO-263-7

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  • BTS282Z E3180A
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 331145

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  • BTS282Z E3180A
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 331145

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  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BTS282Z E3180A
    BTS282Z E3180A

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

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  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • 正品封裝

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BTS282Z E3180A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET TEMPFET 49V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BTS282Z E3180A 技術參數(shù)
  • BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:P-TO220-5 標準包裝:500 BTS247ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 成形引線 供應商器件封裝:PG-TO220-5-3 標準包裝:500 BTS247Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:TO-220-5 標準包裝:1,000 BTS245A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無絲:有螺紋 公母:公頭,母頭 螺釘,螺紋規(guī)格:#8-32 直徑 - 內部:- 直徑 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板間高度:1.500"(38.10mm)1 1/2" 長度 - 總:1.875"(47.63mm)1 7/8" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標準包裝:100 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1
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