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BSZ018NE2LSATMA1

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  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 68000

  • INFINEON

  • N/A最新

  • 21+原廠授權(quán)

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  • ★原廠授權(quán)★價超代理★

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

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  • INFINEON

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 328695

  • INFINEON

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 328695

  • INFINEON

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  • 24+

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  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

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  • 深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
    深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司

    聯(lián)系人：曾小姐

    電話：0755-2330298015814019597

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格科技園4棟西10樓C052房間

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INFINEON/英飛凌/英飛凌

  • 6-XFDFN

  • 22+

  • -

  • 原裝正品假一罰十

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 1360

  • INFINEON

  • C72-晶體管

  • -

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
BSZ018NE2LSATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ018NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ017NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 27A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ014NE2LS5IFATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ013NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 32A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSY79 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1mA，1V 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BSZ034N04LSATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03MS G BSZ035N03MSGATMA1 BSZ036NE2LS BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1
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