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BSZ033NE2LS5ATMA1

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • BSZ033NE2LS5ATMA1
    BSZ033NE2LS5ATMA1

    BSZ033NE2LS5ATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 328710

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • BSZ033NE2LS5ATMA1
    BSZ033NE2LS5ATMA1

    BSZ033NE2LS5ATMA1

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 328710

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • BSZ033NE2LS5ATMA1
    BSZ033NE2LS5ATMA1

    BSZ033NE2LS5ATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSZ033NE2LS5ATMA1
    BSZ033NE2LS5ATMA1

    BSZ033NE2LS5ATMA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ033NE2LS5ATMA1
    BSZ033NE2LS5ATMA1

    BSZ033NE2LS5ATMA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

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  • 1
BSZ033NE2LS5ATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 18A（Ta），40A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 3.3 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 18.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 1230pF @ 12V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
BSZ033NE2LS5ATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ031NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 19A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1230pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ028N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ025N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3680pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ023N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.35 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2630pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ019N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta）. 40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1 BSZ060NE2LS BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1
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