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BSC015NE2LS5IATMA1

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  • BSC015NE2LS5IATMA1
    BSC015NE2LS5IATMA1

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 328699

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSC015NE2LS5IATMA1
    BSC015NE2LS5IATMA1

    BSC015NE2LS5IATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

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  • BSC015NE2LS5IATMA1
    BSC015NE2LS5IATMA1

    BSC015NE2LS5IATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 328699

  • INFINEON

  • con

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSC015NE2LS5IATMA1
    BSC015NE2LS5IATMA1

    BSC015NE2LS5IATMA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 33A（Ta），100A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 1.5 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 30nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 2000pF @ 12V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 標準包裝
  • 5,000
BSC015NE2LS5IATMA1 技術參數
  • BSC014NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta），100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），74W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC014NE2LSI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 12V 功率 - 最大值:74W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC014N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:5,000 BSC014N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），156W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC014N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG BSC022N04LSATMA1 BSC024N025S G BSC024NE2LS BSC024NE2LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1
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