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B82462G4684M

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  • B82462G4684M
    B82462G4684M

    B82462G4684M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • B82462G4684M000
    B82462G4684M000

    B82462G4684M000

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2497

  • EPCOS

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
B82462G4684M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 6X 6 680UH 0.20A
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • Power inductor SMD shielded 680uH
B82462G4684M 技術(shù)參數(shù)
  • B82462G4683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 650mA 410 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:68μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:500mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:410 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.65A 50 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.65A 電流 - 飽和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:50 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 240mA 2.7 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:240mA 電流 - 飽和值:180mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.7 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 310 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:310 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K B82464A2682M B82464A2683K B82464A4102M B82464A4103M B82464A4104K B82464A4105K B82464A4152M
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