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B82464G2122M

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • B82464G2122M
    B82464G2122M

    B82464G2122M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • B82464G2122M000
    B82464G2122M000

    B82464G2122M000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
B82464G2122M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 1.2μH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 9 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • epcos (tdk)
  • 系列
  • B82464G2
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • 類(lèi)型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 1.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 5.6A
  • 電流 - 飽和值
  • 6.8A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 9 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級(jí)
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 100kHz
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標(biāo)準(zhǔn)
  • 大小/尺寸
  • 0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.118"（3.00mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,250
B82464G2122M 技術(shù)參數(shù)
  • B82464G2104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 530 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:730mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:530 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 62 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:2.25A 電流 - 飽和值:2.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:62 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464A4684K 功能描述:680μH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 2 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464A4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680μH 容差:±10% 額定電流:400mA 電流 - 飽和值:450mA 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:2 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464A4683K 功能描述:68μH Unshielded Wirewound Inductor 1.25A 200 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464A4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:68μH 容差:±10% 額定電流:1.25A 電流 - 飽和值:1.5A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464G2333M B82464G2334M B82464G2392M B82464G2472M B82464G2473M B82464G2474M B82464G2682M B82464G2683M B82464G2752M B82464G2821M B82464G4102M B82464G4103M B82464G4104M B82464G4105M B82464G4152M B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M
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