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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATTINY43U-SUR |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 54/158頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU AVR 4KB FLASH 8MHZ 20SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | tinyAVR Introduction |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心處理器： | AVR |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 連通性： | USI |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 16 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 4KB（2K x 16） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 4x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | ATTINY43U-SUR-ND |
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8048C–AVR–02/12
ATtiny43U
The command needs only be loaded once when writing or reading multiple memory
locations.
Skip writing the data value 0xFF, that is the contents of the entire EEPROM (unless the
EESAVE Fuse is programmed) and Flash after a Chip Erase.
Address high byte needs only be loaded before programming or reading a new 256 word
window in Flash or 256 byte EEPROM. This consideration also applies to Signature bytes
reading.
19.6.3
Chip Erase
The Chip Erase will erase the Flash and EEPROM
(1) memories plus Lock bits. The Lock bits are
not reset until the program memory has been completely erased. The Fuse bits are not
changed. A Chip Erase must be perfor med before the Flash and/or EEPROM are
reprogrammed.
Note:
1. The EEPRPOM memory is preserved during Chip Erase if the EESAVE Fuse is programmed.
Load Command “Chip Erase”
1.
Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2.
Set BS1 to “0”.
3.
Set DATA to “1000 0000”. This is the command for Chip Erase.
4.
Give CLKI a positive pulse. This loads the command.
5.
Give WR a negative pulse. This starts the Chip Erase. RDY/BSY goes low.
6.
Wait until RDY/BSY goes high before loading a new command.
19.6.4
Programming the Flash
The Flash is organized in pages, see Table 19-8 on page 144. When programming the Flash,
the program data is latched into a page buffer. This allows one page of program data to be pro-
grammed simultaneously. The following procedure describes how to program the entire Flash
memory:
A. Load Command “Write Flash”
1.
Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2.
Set BS1 to “0”.
3.
Set DATA to “0001 0000”. This is the command for Write Flash.
4.
Give CLKI a positive pulse. This loads the command.
B. Load Address Low byte
1.
Set XA1, XA0 to “00”. This enables address loading.
2.
Set BS1 to “0”. This selects low address.
3.
Set DATA = Address low byte (0x00 - 0xFF).
4.
Give CLKI a positive pulse. This loads the address low byte.
C. Load Data Low Byte
1.
Set XA1, XA0 to “01”. This enables data loading.
2.
Set DATA = Data low byte (0x00 - 0xFF).
3.
Give CLKI a positive pulse. This loads the data byte.
D. Load Data High Byte
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PDF描述 |
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