參數(shù)資料
型號(hào)： ATP206
廠(chǎng)商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 40 A, 40 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 256K
代理商： ATP206
ATP206
No. A1395-3/4
IT14333
IT14334
IT14335
IT14336
--60
--20
--40
0
20
40
60
80
100
160
120 140
0
35
30
40
25
20
15
10
2.0
0.5
1.5
1.0
5
0
35
30
40
25
20
15
10
5
0
35
30
40
25
20
15
10
5
0
60
50
40
30
20
10
0
6.0
5.5
5.0
4.5
1.0
3.5
0.5
3.0
2.5
1.5 2.0
4.0
16
.0V
6.0V
4.5V
10.0V
Tc=25
°C
VDS=10V
VGS=3.5V
IT14338
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
0.001
0.01
0.1
10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1.0
IT14337
25
°C
--
2
5°
C
T
c=75
°C
0.1
23
5 7
23
5 7
23
5 7
1.0
10
1.0
10
5
7
3
2
3
5
2
3
5
7
VDS=10V
Tc=
--25
°C
75
°C
VGS=0V
Single pulse
--25
°C
75
°C
T
c=75
°C
T
c=
--25
°C
25
°C
515 16
13
9
711
14
6
24
310
812
ID=10A
20A
Single pulse
Tc=25
°C
Single pulse
VGS
=10.0V
, ID
=20A
VGS
=4.5V
, ID
=10A
4.0V
25°
C
8.0V
25
°C
IT14339
10
100
3
2
5
7
3
5
0.1
1.0
23
5 7
23
5 7
23
5 7
10
100
VDD=20V
VGS=10V
td(off)
t r
tf
td(on)
0
100
1000
7
5
3
2
5
3
2
10
30
40
20
515
35
25
IT14340
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Case Temperature, Tc --
°C
Drain Current, ID -- A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VDS
ID -- VGS
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Tc
IS -- VSD
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
SW Time -- ID
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Ciss, Coss, Crss -- VDS
| yfs | -- I
D
Forward
T
ransfer
Admittance,
|
y
fs
|
-
S
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PDF描述
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ATP214 75 A, 60 V, 0.0081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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