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參數(shù)資料
| 型號： | ATP113TL |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HALOGEN FREE, ATPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 343K |
| 代理商： | ATP113TL |
ATP113
No. A1755-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0V
--60
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--60V, VGS=0V
--1
μA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±16V, VDS=0V
±10
μA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=--10V, ID=--18A
37
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--18A, VGS=--10V
22.5
29.5
mΩ
RDS(on)2
ID=--9A, VGS=--4.5V
27
38
mΩ
RDS(on)3
ID=--5A, VGS=--4V
29
44
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
2400
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
250
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
195
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
15
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
125
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
250
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
200
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--35A
55
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--35A
7.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--35A
12
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--35A, VGS=0V
--0.98
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=18A
RL=1.67Ω
VDD= --30V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
ATP113
IT15601
75
°C
25
°C
T
c=
--25
°C
--25
°C
T
c=75
°C
--0.4
--0.2
--0.6 --0.8 --1.0
--2.0
--1.6
--1.2 --1.4
--1.8
0
--5
--35
--15
--25
--30
--20
--10
0
--10
--30
--20
--40
--50
--60
0
IT15602
--2.0
--1.0
--3.0
--1.5
--0.5
--2.5
--4.0
--4.5
--3.5
0
VGS= --3.0V
--16.0V
--3.5V
--10.0V
--8.0V
--6.0V
--4.5V
--4.0V
25
°C
VDS= --10V
Single pulse
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Tc=25
°C
Single pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP113 | 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP114TL | 55 A, 60 V, 0.016 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP114 | 55 A, 60 V, 0.016 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP201 | 35 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP201 | 35 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATP113-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ATP114 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP114_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP114-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ATP115SM | 制造商:CTS 制造商全稱:CTS Corporation 功能描述:Surface Mount Quartz Crystal |
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