參數(shù)資料
型號(hào)： ATP112TL
元件分類： JFETs
英文描述： 25 A, 60 V, 0.043 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 345K
代理商： ATP112TL
ATP112
No. A1754-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0V
--60
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--60V, VGS=0V
--1
μA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±16V, VDS=0V
±10
μA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=--10V, ID=--13A
24
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--13A, VGS=--10V
33
43
mΩ
RDS(on)2
ID=--7A, VGS=--4.5V
42
59
mΩ
RDS(on)3
ID=--3.5A, VGS=--4V
45
63
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
1450
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
155
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
125
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
10
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
80
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
150
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
120
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
33.5
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
5.3
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
7.9
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--25A, VGS=0V
--0.97
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=13A
RL=2.3Ω
VDD= --30V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
ATP112
IT15590
75
°C
25
°C
T
c=
--25
°C
--25
°C
T
c=75
°C
--0.4
--0.2
--0.6 --0.8 --1.0
--2.0
--1.6
--1.2 --1.4
--1.8
0
--5
--25
--15
--20
--10
0
--10
--30
--20
--40
--50
--60
0
IT15591
--2.0
--1.0
--3.0
--1.5
--0.5
--2.5
--4.0 --4.5 --5.0 --5.5 --6.0
--3.5
0
--3.0V
VGS= --2.5V
--16.0V
--3.5V
--10.0V
VDS= --10V
Single pulse
--8.0V
--6.0V
--4.5V
--4.0V
25
°C
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Tc=25
°C
Single pulse
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PDF描述
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