參數(shù)資料
型號(hào): AT90S1200-12PC
廠商: Atmel
文件頁數(shù): 42/71頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 1K FLSH 12MHZ 20DIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 18
系列: AVR® 90S
核心處理器: AVR
芯體尺寸: 8-位
速度: 12MHz
連通性: SPI
外圍設(shè)備: POR,WDT
輸入/輸出數(shù): 15
程序存儲(chǔ)器容量: 1KB(512 x 16)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 64 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 4 V ~ 6 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 20-DIP(0.300",7.62mm)
包裝: 管件
47
AT90S1200
0838H–AVR–03/02
Serial Programming
Characteristics
Figure 36. Serial Programming Timing
Table 20. Serial Programming Characteristics, T
A = -40°C to 85°C, VCC = 2.7 - 6.0V
(unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
1/tCLCL
Oscillator Frequency (VCC = 2.7 - 4.0V)
0
4.0
MHz
tCLCL
Oscillator Period (VCC = 2.7 - 4.0V)
250.0
ns
1/tCLCL
Oscillator Frequency (VCC = 4.0 - 6.0V)
0
12.0
MHz
tCLCL
Oscillator Period (VCC = 4.0 - 6.0V)
83.3
ns
tSHSL
SCK Pulse Width High
4.0 tCLCL
ns
tSLSH
SCK Pulse Width Low
tCLCL
ns
tOVSH
MOSI Setup to SCK High
1.25 tCLCL
ns
tSHOX
MOSI Hold after SCK High
2.5 tCLCL
ns
tSLIV
SCK Low to MISO Valid
10.0
16.0
32.0
ns
Table 21. Minimum Wait Delay after the Chip Erase Instruction
Symbol
3.2V
3.6V
4.0V
5.0V
t
WD_ERASE
18 ms
14 ms
12 ms
8 ms
Table 22. Minimum Wait Delay after Writing a Flash or EEPROM Location
Symbol
3.2V
3.6V
4.0V
5.0V
t
WD_PROG
9 ms
7 ms
6 ms
4 ms
MOSI
MISO
SCK
t
OVSH
t
SHSL
t
SLSH
t
SHOX
t
SLIV
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