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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT89C51ED2-RDTUM |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 55/137頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU FLASH 64K 64VQFP |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | MCU Product Line Introduction |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 800 |
| 系列： | 89C |
| 核心處理器： | 8051 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 60MHz |
| 連通性： | SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 50 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 64KB（64K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 2K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 44-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 配用： | AT89OCD-01-ND - USB EMULATOR FOR AT8XC51 MCU |
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24
4235K–8051–05/08
AT89C51RD2/ED2
part of the available XRAM as explained in Table 9-1. This can be useful if external
peripherals are mapped at addresses already used by the internal XRAM.
With EXTRAM = 0, the XRAM is indirectly addressed, using the MOVX instruction in
combination with any of the registers R0, R1 of the selected bank or DPTR. An access to
XRAM will not affect ports P0, P2, P3.6 (WR) and P3.7 (RD). For example, with EXTRAM =
0, MOVX @R0, # data where R0 contains 0A0H, accesses the XRAM at address 0A0H
rather than external memory. An access to external data memory locations higher than the
accessible size of the XRAM will be performed with the MOVX DPTR instructions in the same
way as in the standard 80C51, with P0 and P2 as data/address busses, and P3.6 and P3.7
as write and read timing signals. Accesses to XRAM above 0FFH can only be done by the
use of DPTR.
With EXTRAM = 1, MOVX @Ri and MOVX @DPTR will be similar to the standard
80C51.MOVX @ Ri will provide an eight-bit address multiplexed with data on Port0 and any
output port pins can be used to output higher order address bits. This is to provide the
external paging capability. MOVX @DPTR will generate a sixteen-bit address. Port2 outputs
the high-order eight address bits (the contents of DPH) while Port0 multiplexes the low-order
eight address bits (DPL) with data. MOVX @ Ri and MOVX @DPTR will generate either read
or write signals on P3.6 (WR) and P3.7 (RD).
The stack pointer (SP) may be located anywhere in the 256 bytes RAM (lower and upper RAM)
internal data memory. The stack may not be located in the XRAM.
The M0 bit allows to stretch the XRAM timings; if M0 is set, the read and write pulses are
extended from 6 to 30 clock periods. This is useful to access external slow peripherals.
9.1
Registers
Table 9-1.
AUXR Register
AUXR - Auxiliary Register (8Eh)
7
6
5
4
3
2
1
0
DPU
-
M0
XRS2
XRS1
XRS0
EXTRAM
AO
Bit
Number
Bit
Mnemonic
Description
7
DPU
Disable Weak Pull-up
Cleared by software to activate the permanent weak pull-up (default)
Set by software to disable the weak pull-up (reduce power consumption)
6
-
Reserved
The value read from this bit is indeterminate. Do not set this bit.
5
M0
Pulse length
Cleared to stretch MOVX control: the RD and the WR pulse length is 6 clock periods
(default).
Set to stretch MOVX control: the RD and the WR pulse length is 30 clock periods.
4
XRS2
XRAM Size
XRS2XRS1XRS0XRAM size
0
0256 bytes
0
1
512 bytes
0
1
0768 bytes(default)
0
1
11024 bytes
1
0
01792 bytes
3
XRS1
2
XRS0
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| AT89C51ED2-RLTIM | 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件 |
| AT89C51ED2-RLTUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 64kB Flash 2048B RAM 2.7V-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| AT89C51ED2-SLRIM | 功能描述:IC MCU FLASH 8051 64K 5V 44-PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR) |
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