參數(shù)資料
型號(hào)： AT89C51CC03U-RDTIM
廠商： Atmel
文件頁(yè)數(shù)： 130/198頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC 8051 MCU FLASH 64K 64VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： AT89C CAN
核心處理器： 8051
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： CAN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 36
程序存儲(chǔ)器容量： 64KB（64K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大小： 2K x 8
RAM 容量： 2.25K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 44-LQFP
包裝： 托盤
其它名稱： AT89C51CC03URDTIM
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37
AT89C51CC03
4182O–CAN–09/08
EEPROM Data
Memory
The 2-Kbyte on-chip EEPROM memory block is located at addresses 0000h to 07FFh of
the XRAM/ERAM memory space and is selected by setting control bits in the EECON
register. A read in the EEPROM memory is done with a MOVX instruction.
A physical write in the EEPROM memory is done in two steps: write data in the column
latches and transfer of all data latches into an EEPROM memory row (programming).
The number of data written on the page may vary from 1 up to 128 Bytes (the page
size). When programming, only the data written in the column latch is programmed and
a ninth bit is used to obtain this feature. This provides the capability to program the
whole memory by Bytes, by page or by a number of Bytes in a page. Indeed, each ninth
bit is set when the writing the corresponding byte in a row and all these ninth bits are
reset after the writing of the complete EEPROM row.
Write Data in the Column
Latches
Data is written by byte to the column latches as for an external RAM memory. Out of the
11 address bits of the data pointer, the 4 MSBs are used for page selection (row) and 7
are used for byte selection. Between two EEPROM programming sessions, all the
addresses in the column latches must stay on the same page, meaning that the 4 MSB
must no be changed.
The following procedure is used to write to the column latches:
Save and disable interrupt.
Set bit EEE of EECON register
Load DPTR with the address to write
Store A register with the data to be written
Execute a MOVX @DPTR, A
If needed loop the three last instructions until the end of a 128 Bytes page
Restore interrupt.
Note:
The last page address used when loading the column latch is the one used to select the
page programming address.
Programming
The EEPROM programming consists of the following actions:
writing one or more Bytes of one page in the column latches. Normally, all Bytes
must belong to the same page; if not, the first page address will be latched and the
others discarded.
launching programming by writing the control sequence (50h followed by A0h) to the
EECON register.
EEBUSY flag in EECON is then set by hardware to indicate that programming is in
progress and that the EEPROM segment is not available for reading.
The end of programming is indicated by a hardware clear of the EEBUSY flag.
Note:
The sequence 5xh and Axh must be executed without instructions between then other-
wise the programming is aborted.
Read Data
The following procedure is used to read the data stored in the EEPROM memory:
Save and disable interrupt
Set bit EEE of EECON register
Load DPTR with the address to read
Execute a MOVX A, @DPTR
Restore interrupt
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT89C51CC03U-7CTIM IC 8051 MCU FLASH 64K 64BGA
AT89C51CC03C-S3SIM IC 8051 MCU FLASH 64K 52PLCC
AT89C51CC03C-RLTIM IC 8051 MCU FLASH 64K 44VQFP
AT89C51CC03C-7CTIM IC 8051 MCU FLASH 64K 64BGA
AT89C5132-ROTIL IC 8051 MCU FLASH 64K USB 80TQFP
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參數(shù)描述
AT89C51CC03U-RLRIM 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:AT89C CAN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
AT89C51CC03U-RLTIM 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:AT89C CAN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件
AT89C51CC03U-S3RIM 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:AT89C CAN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
AT89C51CC03U-S3SIM 制造商:Atmel Corporation 功能描述:MCU 8-bit AT89 80C51 CISC 64KB Flash 5V 52-Pin PLCC Stick
AT89C51CC03U-SLRIM 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 44PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:AT89C CAN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
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