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參數(shù)資料
| 型號： | AT49F001N-55TC |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1-Megabit 128K x 8 5-volt Only Flash Memory |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 1/16頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | AT49F001N-55TC |
1
Features
Single Voltage Operation
– 5V Read
– 5V Reprogramming
Fast Read Access Time - 55 ns
Internal Program Control and Timer
Sector Architecture
– One 16K Byte Boot Block with Programming Lockout
– Two 8K Byte Parameter Blocks
– Two Main Memory Blocks (32K, 64K) Bytes
Fast Erase Cycle Time - 10 seconds
Byte By Byte Programming - 10
μ
s/Byte Typical
Hardware Data Protection
DATA Polling for End of Program Detection
Low Power Dissipation
– 50 mA Active Current
– 100
μ
A CMOS Standby Current
Typical 10,000 Write Cycles
Description
The AT49F001(N)(T) is a 5-volt-only in-system reprogrammable Flash Memory. Its 1
megabit of memory is organized as 131,072 words by 8 bits. Manufactured with
Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 55
ns with power dissipation of just 275 mW over the commercial temperature range.
Rev. 1008B–07/98
1-Megabit
(128K x 8)
5-volt Only
Flash Memory
AT49F001
AT49F001N
AT49F001T
AT49F001NT
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A16
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
RESET
RESET
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
NC
No Connect
DC
Don’t Connect
DIP Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
* RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC Top View
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
3
2
1
3
3
3
1
1
1
1
1
1
2
I
I
G
I
I
I
I
A
A
A
R
V
W
N
(continued)
VSOP Top View (8 x 14 mm) or
TSOP Top View (8 x 20 mm)
Type 1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
* RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
*Note: This pin is a DC on the AT49F001N(T).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT49F001N-55TI | 1-Megabit 128K x 8 5-volt Only Flash Memory |
| AT49F001N-55VC | 1-Megabit 128K x 8 5-volt Only Flash Memory |
| AT49F001N-55VI | 1-Megabit 128K x 8 5-volt Only Flash Memory |
| AT49F001T-12JC | 1-Megabit 128K x 8 5-volt Only Flash Memory |
| AT49F001T-12JI | 1-Megabit 128K x 8 5-volt Only Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT49F001N-55TI | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 55NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| AT49F001N-55VC | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 55NS 32VSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| AT49F001N-55VI | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 55NS 32VSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| AT49F001N-70JC | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 70NS 32PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| AT49F001N-70JI | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 70NS 32PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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