參數(shù)資料
型號： AT49BV001NT-12TC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
中文描述： 128K X 8 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
文件頁數(shù)： 1/20頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： AT49BV001NT-12TC
1
Features
Single Supply for Read and Write: 2.7V to 3.6 (BV), 3.0 to 3.6V (LV)
Fast Read Access Time - 70 ns
Internal Program Control and Timer
Sector Architecture
– One 16K Byte Boot Block with Programming Lockout
– Two 8K Byte Parameter Blocks
– Two Main Memory Blocks (32K, 64K) Bytes
Fast Erase Cycle Time - 10 seconds
Byte By Byte Programming - 30
μ
s/Byte Typical
Hardware Data Protection
DATA Polling For End Of Program Detection
Low Power Dissipation
– 25 mA Active Current
– 50
μ
A CMOS Standby Current
Typical 10,000 Write Cycles
Description
The AT49BV/LV001(N)(T) is a 3-volt-only in-system reprogrammable Flash Memory.
Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words by 8 bits. Manufactured with
Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 70
ns with power dissipation of just 90 mW over the commercial temperature range.
When the device is deselected, the CMOS standby current is less than 50
μ
A. For the
1-Megabit
(128K x 8)
Single 2.7-Volt
Battery-Voltage
Flash Memory
AT49BV001
AT49LV001
AT49BV001N
AT49LV001N
AT49BV001T
AT49LV001T
AT49BV001NT
AT49LV001NT
Rev. 1110A–07/98
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A16
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
RESET
RESET
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
DC
Don’t Connect
NC
No Connect
DIP Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
*RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC Top View
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
3
2
1
3
3
3
1
1
1
1
1
1
2
I
I
G
I
I
I
I
A
A
A
R
V
W
N
(continued)
VSOP Top View (8 x 14mm) or
TSOP Top View (8 x 20mm)
Type 1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
*RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
*Note: This pin is a DC on the AT49BV001N(T) and AT49LV001N(T).
相關PDF資料
PDF描述
AT49LV001NT-12TC 1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV001NT-12TI 1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49LV001NT-12TI 1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV001NT-12VC 1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49LV001NT-12VC BATTERY HOLDER, 2X9V WHITE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AT49BV001NT-12TI 功能描述:IC FLASH 1MBIT 120NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
AT49BV001NT-12VC 功能描述:IC FLASH 1MBIT 120NS 32VSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
AT49BV001NT-12VI 功能描述:IC FLASH 1MBIT 120NS 32VSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
AT49BV001NT-90JC 功能描述:IC FLASH 1MBIT 90NS 32PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
AT49BV001NT-90JI 功能描述:IC FLASH 1MBIT 90NS 32PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
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