參數(shù)資料
型號(hào)： AT49BV001AT-55JI
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-megabit (128K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory
中文描述： 128K X 8 FLASH 2.7V PROM, 55 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
文件頁(yè)數(shù)： 1/18頁(yè)
文件大?。?/td> 182K
代理商： AT49BV001AT-55JI
1
Features
Single Supply for Read and Write: 2.7 to 3.6V
Fast Read Access Time – 55 ns
Internal Program Control and Timer
Sector Architecture
– One 16K Bytes Boot Block with Programming Lockout
– Two 8K Bytes Parameter Blocks
– Two Main Memory Blocks (32K Bytes, 64K Bytes)
Fast Erase Cycle Time – 3 Seconds
Byte-by-Byte Programming – 30 μs/Byte Typical
Hardware Data Protection
DATA Polling for End of Program Detection
Low Power Dissipation
– 15 mA Active Current
– 50 μA CMOS Standby Current
Typical 10,000 Write Cycles
Description
The AT49BV001A(N)(T) is a 2.7-volt-only in-system reprogrammable Flash Memory.
Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words by 8 bits. Manufactured with
Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to
55 ns with power dissipation of just 54 mW over the industrial temperature range.
1-megabit
(128K x 8)
Single 2.7-volt
Battery-Voltage
Flash Memory
AT49BV001A
AT49BV001AN
AT49BV001AT
AT49BV001ANT
Rev. 3364C–FLASH–9/03
PLCC Top View
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A16
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
RESET
RESET
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
NC
No Connect
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
3
2
1
3
3
3
1
1
1
1
1
1
2
I
I
G
I
I
I
I
A
A
A
R
V
W
N
VSOP Top View (8 x 14 mm) or
TSOP Top View (8 x 20 mm)
Type 1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
*RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
Note:
*This pin is a NC on the AT49BV001AN(T).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT49BV001AT-55TI 1-megabit (128K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory
AT49BV001AT-55VI 1-megabit (128K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory
AT49BV001A(N)(T) AT49BV001A(N)(T) [Updated 9/03. 18 Pages] 128K x 8 (1M bit). 2.7-Volt Read and Write. Top or Bottom Boot Parametric Block Flash.
AT49BV001ANT 1-megabit (128K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory
AT49BV001AT 1-megabit (128K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT49BV001AT-55TI 功能描述:IC FLASH 1MBIT 55NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
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AT49BV001N 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV001N-12JC 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV001N-12JI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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