參數(shù)資料
型號(hào)： AT-32032-BLK
英文描述： AT32032
中文描述： AT32032
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 166K
代理商： AT-32032-BLK
AT-32032 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.860
-19
23.8
15.523
0.5
0.496
-67
18.8
8.705
0.9
0.298
-90
14.9
5.569
1.0
0.269
-96
14.1
5.067
1.5
0.168
-119
11.0
3.558
1.8
0.133
-135
9.7
3.046
2.0
0.116
-146
8.9
2.782
3.0
0.086
150
6.1
2.011
4.0
0.121
98
4.3
1.640
5.0
0.194
70
3.1
1.434
6.0
0.287
57
2.3
1.300
7.0
0.390
43
1.6
1.198
8.0
0.491
28
0.8
1.101
9.0
0.570
10
0
0.997
10.0
0.640
-9
-1.0
0.891
S
12
Mag
0.015
0.054
0.079
0.085
0.119
0.140
0.154
0.232
0.319
0.417
0.521
0.631
0.722
0.774
0.781
S
22
Ang
160
114
92
88
71
63
58
34
13
-6
-25
-44
-62
-79
-95
dB
-36.4
-25.4
-22.0
-21.4
-18.5
-17.1
-16.2
-12.7
-9.9
-7.6
-5.7
-4.0
-2.8
-2.2
-2.1
Ang
80
63
61
61
59
58
57
48
37
23
Mag
0.949
0.690
0.580
0.570
0.530
0.514
0.508
0.483
0.461
0.422
0.354
0.274
0.273
0.361
0.464
Ang
-9
-25
-28
-29
-33
-36
-39
-54
-72
-95
-124
-166
137
91
57
8
-10
-30
-51
-72
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.38
0.335
0.33
0.35
0.40
0.47
0.54
Ang
52
124
140
179
-146
-118
-92
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.0
1.2
1.3
1.4
1.6
1.8
2.0
11.7
6.3
5.3
4.3
5.9
11.5
22.0
16.1
11.2
10.5
9.2
8.2
7.5
6.8
Figure 14. Gain vs. Frequency at
5 V, 5 mA.
Note: dB(|S
21
|) = 20*log(|S
21
|)
Γ
opt
gmax
dB(S[2,1])
k
0
25
15
20
5
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.25
0.75
1
0.25
0.5
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
(k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT-32032-TR1 AT32032
AT32032 AT32032
AT-41400 Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor Chip
AT-41400-GP4 Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor Chip
AT-41410 Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT-32032-BLKG 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-32032-TR1 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
AT-32032-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-32032-TR2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-323
AT-32032-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*