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參數資料
| 型號： | AT-31625-TR1 |
| 英文描述： | 4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor |
| 中文描述： | 4.8 V叩共發(fā)射極中等輸出功率晶體管 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | AT-31625-TR1 |
4-49
Test Circuit A: Test Circuit Board Layout @ 900 MHz
Test Circuit A: Test Circuit Schematic Diagram @ 900 MHz
V
BB
R1
T1
L1
R4
R2
R3
C3
C2
C6
V
CC
V
CC
C5
R5
L2
C8
C9
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
R1
R2
R3
R4
R5
T1
L1
L2
100.0 pF
100.0 pF
100.0 nF
6.8 pF
100.0 nF
100.0 pF
2.7 pF
1.5
μ
F
10.0
μ
F
100.0 pF
2.2
750.0
2.2
10.0
10.0
MBT 2222A
18.0
μ
H
18.0
μ
H
9/96
OUTPUT
INPUT
B–MFG0141
C1
C10
C4
C7
PA3 DEMO
76.2 (3.0)
38.1 (1.5)
V
BB
CW Test
V
CE
= 4.8 V
I
CQ
= 5.0 mA
Freq. = 900 MHz
Test Circuit:
FR-4 Microstrip, glass epoxy board
Dielectric Constant = 4.5
Thickness = 0.79 (.031)
NOTE:
Dimensions are shown in millimeters (inches).
750
V
BB
V
CC
2.2
RF IN
100 pF
2.2
100 nF
10
80
80
λ
/4 @ 900 MHz
50
50
λ
/4 @ 900 MHz
18
μ
H
B
C E
DC
Transistor
100 pF
100 pF
6.8 pF
= 5.38 (.212)
100 pF
RF OUT
2.7 pF
= 19.91 (.784)
10
18
μ
H
100 nF
1.5
μ
F
10
μ
F
CW Test
V
CE
= 4.8 V
I
CQ
= 5.0 mA
Freq. = 900 MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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