參數(shù)資料
型號： ASI12738
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 16K
代理商： ASI12738
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 50 mA
BV
CES
I
C
= 100 mA
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CE
= 15 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 5.0 A
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
36
18
3.5
10
UNITS
V
V
V
V
mA
---
10
---
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0
MHz
270
pF
G
P
η
C
V
CE
= 12.5 V P
OUT
= 70 W f = 50 MHz
10
60
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
VLB70-12S
DESCRIPTION:
The
ASI VLB70-12S
is Designed for
FEATURES:
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
12.0 A
36 V
18 V
3.5 V
183 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +150
O
C
1.05
O
C/W
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
ORDER CODE: ASI12738
MINIMUM
inches / mm
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.370 / 9.40
B
C
D
E
F
G
H
I
A
MAXIMUM
inches / mm
.385 / 9.78
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.007 / 0.18
.090 / 2.29
.155 / 3.94
.100 / 2.54
.175 / 4.45
DIM
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.230 / 5.84
.490 / 12.45
.450 / 11.43
J
.750 / 19.05
E
F
D
C
B
.112x45°
G
H
J
I
A
#8-32 UNC-2A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ASI1N23WE SILICON MIXER DIODE
ASI1N23WG SILICON MIXER DIODE
ASI1N415E SILICON MIXER DIODE
ASI2001 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
ASI10527 ER 3C 3#8 PIN RECP LINE
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參數(shù)描述
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