參數(shù)資料
型號： ASI-MA40232-119
廠商： Advanced Semiconductor, Inc.
英文描述： SILICON DETECTOR DIODE
中文描述： 硅探測器二極管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 21K
代理商： ASI-MA40232-119
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
E
O
VOLTAGE OUTPUT (NOTE 2)
Z
V
VIDEO IMPEDANCE
T
SS
TANGENTIAL SIGNAL SENSITIVITY NOTES (1 & 2)
TEST CONDITIONS
MINIMUM
15.0
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
mV
K
dBM
5.0
15.0
-56
SILICON DETECTOR DIODE
ASI-DDC4563-24 / ASI-MA40232-119
DESCRIPTION:
The
MA40232-119
is a Zero Bias
Silicon Schottky Barrier Detector
Diode.
MAXIMUM RATINGS
P
DISS
200 mW @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +150
O
C
-65
O
C to +175
O
C
T
J
T
STG
PACKAGE STYLE 207-001
Ink Dot = Cathode
相關PDF資料
PDF描述
ASI1001 NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:200mA,,Vcc:35V))(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:200mA,,Vcc:35V)))
ASI10522 Circular Connector; No. of Contacts:35; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:28; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Insert Arrangement:28-15 RoHS Compliant: No
ASI1002 NPN Silicon RF Power Transistor Designed for General Purpose Class C Power Amplifier up to 1500 MHz(Ic: 200mA ,Vcc: 35 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管,用于通用C級放大器,頻率達1500 MHz(Ic:200mA ,Vcc: 35 V))
ASI10523 ER 12C 12#16 SKT RECP LINE
ASI1005 NPN Silicon RF Power Transistor Designed for General Purpose Class C Power Amplifier up to 1500 MHz(Ic: 600mA ,Vcc: 35 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管,用于通用C級放大器,頻率達1500 MHz(Ic:600mA ,Vcc: 35 V))
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