參數(shù)資料
型號： ASD355-N
廠商： 美麗微半導體有限公司
英文描述： Silicon epitaxial planar type
中文描述： 平面型硅外延
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： ASD355-N
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (ASD355-N)
10
100
1000
FIG.3 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE CURRENT, (nA)
1 10 100
1
Tj=25 C
REVERSE VOLTAGE
1.0
10
0.1
100
1000
FIG.1-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(mA)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0 .4 .8 1.2 1.6 2.0
Tj=25 C
FIG.2 - TYPICAL DIODE CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
DIODE CAPACITANCE,(pF)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1 1 10
100 1000
Scattering Limit
Scattering Limit
FIG.4 - REVERSE CURRENT
VS JUNCTION TEMPERATURE
0
100
200
3
10
2
10
REVERSE CURRENT, (uA)
10
1
-1
10
-2
10
o
JUNCTION TEMPERATURE ( C)
V =80V / MAX. VALUES
V =80V / TYP. VALUES
R
V =25V / TYP. VALUES
R
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PDF描述
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