參數(shù)資料
型號： AS4C1M16F5-60JI
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 5V 1M X 16 CMOS DRAM
中文描述： 5V的100萬× 16的CMOS內(nèi)存
文件頁數(shù)： 4/21頁
文件大?。?/td> 485K
代理商： AS4C1M16F5-60JI
AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
Alliance Semiconductor
P. 4 of 21
AC parameters common to all waveforms
Read cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CP
t
RAL
t
ASC
t
CAH
Random read or write cycle time
84
–
104
–
ns
RAS
precharge time
30
–
40
–
ns
RAS
pulse width
50
10K
60
10K
ns
CAS
pulse width
8
10K
10
10K
ns
RAS
to
CAS
delay time
15
35
15
43
ns
6
RAS
to column address delay time
12
25
12
30
ns
7
CAS
to
RAS
hold time
10
–
10
–
ns
RAS
to
CAS
hold time
40
–
50
–
ns
CAS
to
RAS
precharge time
5
–
5
–
ns
Row address setup time
0
–
0
–
ns
Row address hold time
8
–
10
–
ns
Transition time (rise and fall)
1
50
1
50
ns
4,5
Refresh period
–
16
–
16
ms
3
CAS precharge time
8
–
10
–
ns
Column address to
RAS
lead time
25
–
30
–
ns
Column address setup time
0
–
0
–
ns
Column address hold time
8
10
–
ns
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
Access time from
RAS
–
50
–
60
ns
6
Access time from
CAS
–
13
–
17
ns
6,13
Access time from address
–
25
–
30
ns
7,13
Read command setup time
0
–
0
–
ns
Read command hold time to
CAS
0
–
0
–
ns
9
tRRH
Read command hold time to
RAS
0
–
0
–
ns
9
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PDF描述
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