參數(shù)資料
型號： AS1506-BTDT-10
廠商： AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
元件分類： 數(shù)字電位計
英文描述： 256-Tap DigiPot SPI EEPROM; Package Type: TDFN(3x3)-8; Resistance: 10,00
封裝： TDFN(3x3)-8
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大?。?/td> 535K
代理商： AS1506-BTDT-10
www.austriamicrosystems.com
Revision 1.02
4 - 17
AS1506
Datasheet - Electrical Characteristics
6 Electrical Characteristics
V
DD
= +2.7 to +5.5V, HIGH = V
DD
, LOW = GND, T
AMB
= -40 to +85
o
C. Typ values are at V
DD
= +5.0V, T
AMB
= +25
o
C
(unless otherwise specified).
Table 4. Electrical Characteristics
Symbol
Power Supply
V
DD
I
DD
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
2.70
5.5
0.5
V
μA
Standby Current
Operating Current
(CMOS write)
Digital Inputs = V
DD
or GND, T
AMB
= +25oC
0.1
I
OP
Includes Non-Volatile Write to Memory
1
110
200
μA
DC Performance (Voltage Divider Mode)
N
Resolution
256
Taps
INL
Integral Linearity
2
AS1506-10
AS1506-50 & -100
AS1506-10
AS1506-50 & -100
±0.5
±0.25
±0.5
±0.25
±1
±0.5
±1
±0.5
LSB
DNL
Differential Non-Linearity
2
LSB
TC
R
End-to-End Resistance
Temperature Coefficient
T
AMB
= 0 to +85
o
C
90
ppm/oC
Full Scale Error
AS1506-10
AS1506-50
AS1506-100
AS1506-10
AS1506-50
AS1506-100
2.5
1.5
1.5
1
0.1
0.1
4
LSB
2.5
2.5
2
0.7
0.7
Zero Scale Error
LSB
DC Performance (Variable Resistor Mode)
INL
Integral Linearity
3
AS1506-10
±1
±0.6
±0.5
±0.5
±0.5
±2
±1.5
±1
±1
±1
LSB
AS1506-50 & -100 @ 3V
AS1506-50 & -100 @ 5V
AS1506-10
AS1506-50 & -100
DNL
Differential Non-Linearity
LSB
DC Performance (Resistor Characteristics)
R
W
Wiper Resistance
4
V
DD
= 3V
V
DD
= 5V
200
120
15
10
50
100
Ω
C
W
Wiper Capacitance
pF
R
EE
End-to-End Resistance
AS1506-10
AS1506-50
AS1506-100
7.5
37.5
75
12.5
62.5
125
k
Ω
Inputs and Outputs
WIPER Voltage Range
HIGH Voltage Range
LOW Voltage Range
GND-
0.3
V
DD
+
0.3
V
V
IH
Digital Input High Voltage
5
V
DD
= 3V
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
V
DD
= 5V
2.1
2.4
V
V
IL
Digital Input Low Voltage
5
0.6
0.8
500
V
I
LEAK
C
IN
I
CONT
Digital Input Leakage Current
Digital Input Capacitance
Continuous DAC current
200
5
nA
pF
μA
560
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PDF描述
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