參數(shù)資料
型號(hào)： ARF449B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： ARF449B
0
Freq. (MHz)
Z
in
-
gate shunted by 25
Z
OL
-
conjugate of optimum load impedance for 150W at 150V
Z
in
(
)
Z
OL
(
)
2.0
13.5
27.0
40.0
65.0
80.0
100.0
93.0 - j 10
63.0 - j 43
32.0 - j 43
17.5 - j 34
7.7 - j 22
5.1 - j 16
3.4 - j 12
23.00 - j 7.0
4.30 - j 9.1
1.00 - j 4.2
0.42 - j 1.7
0.35
+
j 1.1
0.56
+
j 2.5
0.90
+
j 3.8
G
P
,
(
P
, POWER OUT (WATTS)
Figure 8, Typical Common Source Amplifier Gain vs Power Out
14
12
10
8
60
40
80
120
160
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5, Typical Threshold Voltage vs Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
160
120
80
40
00
2
4
6
8
10
25
20
15
10
5
01
5
10
15
20
25
30
P
, POWER IN (WATTS)
Figure 7, Typical Power Out vs Power In
P
O
,
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6, Typical Output Characteristics
I
D
,
V
G
,
(
ARF449A/449B
5.5V
4.5V
5V
6V
VGS=8, 10 & 15V
Z
θ
J
,
°
C
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
Figure 9, Typical Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
0.8
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
Class C
V
DD
= 150V
f = 81.36 MHz
Table 1 - Typical Class C Large Signal Inpu
t-O
utput Impedance
Class C
V
DD
= 150V
f = 81.36 MHz
6.5V
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ARF460B 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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