參數(shù)資料
型號(hào)： APTM60H23UT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 600 V, 0.276 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： APTM60H23UT1G
APTM60H23UT1G
APT
M
60H23UT
1
G
–
Rev
0
Decem
b
er
,2007
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS = 600V
VGS = 0V
Tj = 125°C
1000
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 17A
230
276
m
Ω
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 1mA
3
4
5
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±30 V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
5316
Coss
Output Capacitance
610
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGS = 0V
VDS = 25V
f = 1MHz
56
pF
Qg
Total gate Charge
165
Qgs
Gate – Source Charge
36
Qgd
Gate – Drain Charge
VGS = 10V
VBus = 300V
ID = 17A
70
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
37
Tr
Rise Time
43
Td(off)
Turn-off Delay Time
115
Tf
Fall Time
Resistive switching @ 25°C
VGS = 15V
VBus = 300V
ID = 17A
RG = 4.7Ω
34
ns
Source - Drain diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tc = 25°C
20
IS
Continuous Source current
(Body diode)
Tc = 80°C
15
A
VSD
Diode Forward Voltage
VGS = 0V, IS = - 17A
1
V
dv/dt
Peak Diode Recovery
30
V/ns
Tj = 25°C
200
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
370
ns
Tj = 25°C
0.76
Qrr
Reverse Recovery Charge
IS = - 17A
VR = 100V
diS/dt = 100A/s
Tj = 125°C
1.91
C
dv/dt numbers reflect the limitations of the circuit rather than the device itself.
IS ≤ - 17A
di/dt
≤ 1000A/s
VDD ≤ 400V
Tj ≤ 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AR1007-1000I DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
AR1007-1000S DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
AR1007-1328I DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T APPLICATION(S)
AR1007-1328S DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T APPLICATION(S)
AR1009-1326I DATACOM TRANSFORMER FOR 100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTMC120AM08CD3AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DISCRETES/MODULES 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:295A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:220A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:131A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTMC120AM20CT1AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg 1200V 17mOhm 360nC Power Module MOSFET 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*