參數(shù)資料
型號： APTGV25H120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 365K
代理商： APTGV25H120T3G
APTGV25H120T3G
A
P
TG
V25H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
4-9
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1650
Coes
Output Capacitance
250
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
110
pF
Qg
Total gate Charge
160
Qge
Gate – Emitter Charge
10
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC =25A
70
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
60
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
305
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 25A
RG = 22
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
60
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
346
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 25A
RG = 22
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
3.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 25A
RG = 22
Tj = 125°C
1.5
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
0.6
°C/W
2.2 Bottom diode characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
2.6
3.1
IF = 60A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
360
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1700
nC
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
1.2
°C/W
3. Temperature sensor
NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV30H60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60T3G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTM100A13S 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A13S 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A18FTG 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H120BTPG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H60BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H60BT3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
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