參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75DA60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： APTGT75DA60T1G
APTGT75DA60T1G
APTGT75D
A60T1G
–
R
ev
0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
5678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
255075
100
125
150
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
al
Im
pe
da
nce
(
°C/W)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75DH60T 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DH60T 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75H60T1G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU100H60 145 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU120A120T 180 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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