參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT35H120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 280K
代理商： APTGT35H120T1G
APTGT35H120T1G
APTGT35H
120T1
G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 35A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2.5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
0.15
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
3.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
Tj = 125°C
4.1
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
35
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 35A
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
3.5
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
7
C
Tj = 25°C
1.4
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 35A
VR = 600V
di/dt =1500A/s
Tj = 125°C
2.7
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400A60D3G IGBT
APTGT400DA120D3G IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT35H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35H120T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT35SK120D1G 功能描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35X120BTP3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
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