參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT30TL601G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 225K
代理商： APTGT30TL601G
APTGT30TL601G
APT
G
T
30T
L
601G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
3- 7
CR1 to CR4 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
350
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
20
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 20A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
100
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
150
ns
Tj = 25°C
1.1
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
2.3
C
Tj = 25°C
0.23
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 20A
VR = 300V
di/dt =1600A/s
Tj = 150°C
0.50
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
3.25
°C/W
CR5 & CR6 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
350
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
100
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
150
ns
Tj = 25°C
1.5
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
3.1
C
Tj = 25°C
0.34
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 30A
VR = 300V
di/dt =1800A/s
Tj = 150°C
0.75
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
2.45
°C/W
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
80
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35A120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400A60D3G IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT30X60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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