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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT30H60T3 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 全-橋戴場站IGBT功率模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGT30H60T3 |
APTGT30H60T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
10
20
30
40
50
60
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
2.4
I
C
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
10
20
30
40
I
C
(A)
F
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=15
T
J
=150°C
T
c
=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration in Seconds
0.01
0.1
1
10
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT35DA120D1 | Boost chopper Trench IGBT㈢ Power Module |
| APTGT35H120T3 | Full - Bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT400A120 | Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT400DU120 | Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT400SK120 | Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT30H60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT30SK170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT30SK170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT30SK170T1G | 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT30TL601G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
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