參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT30H170T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge Trench IGBT Power Module
中文描述： 全-橋溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 300K
代理商： APTGT30H170T3
APTGT30H170T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 1.5mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1.5mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
3
2.4
6.4
600
Unit
V
mA
1700
5.2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
X
E
off
Turn-off Switching Energy
Y
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 30A
R
G
= 18
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 30A
R
G
= 18
Min
Typ
2500
90
100
70
650
80
100
70
750
100
18
19
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
1.8
1.9
8
Max
250
500
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
V
R
= 900V
di/dt =990A/μs
I
F
= 50A
V
= 900V
di/dt =990A/μs T
j
= 125°C
V
E
r
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
15
mJ
T
j
= 25°C
18
Q
rr
Reverse Recovery Charge
29
μC
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
Min
Typ
68
4080
Max
Unit
k
K
=
T
T
B
R
R
T
1
1
exp
25
85
/
25
25
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT30H60T3 Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT35H120T3 Full - Bridge Trench IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGT30H170T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30H60T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30H60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30H60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30SK170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
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